如何理解fd soi的全耗尽？ – 知乎

February 2, 2026

首先 FD SOI 的沟道不需要掺杂，因为未掺杂的足够薄的 silicon 才能做到全耗尽。当然你的观点本身就有问题，电子是Source和Drain和Bulk跑到沟道形成耗尽层的，不只是从衬底来的。其次，为什么无需掺杂，原因： 1 阈值电压的调节是通过调节work function，而不再是掺杂 2 栅控能力已经足够强，不需要 …

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